Equipe 2 : Matériaux low-k
Depuis plus d'un siècle, l'industrie électronique reste surprenante, tant dans le domaine technique qu'économique. La microélectronique qui fait partie de cette industrie n'a aussi jamais cessé de répondre à l'exigence de la rapidité et de l'intégration des composants avec leur miniaturisation, tout en recherchant le maintien de leur fiabilité et la réduction des coûts de production. Ainsi petit à petit, notre quotidien s'est enrichi de nombreux dispositifs issus de l'industrie microélectronique, tel que les téléphones mobiles, les ordinateurs, les appareils photos numériques ou encore les agendas électroniques de poche (PALM).
Afin d'augmenter les performances des dispositifs microélectroniques, chaque nouvelle génération technologique s'est appliquée à réduire les dimensions des dispositifs actifs comme dictée par la loi de Moore, et par conséquent celles des interconnections reliant ces éléments.
La technologie low-k est l'une des axes qui trouve un grand intérêt dans ce domaine dont la partie dominante repose sur les matériaux à faible constante diélectrique.
La recherche de matériaux à faible constante diélectrique (low-k) ces dernières années a montré qu'en dehors des oxydes dopés (k>3) et des polymères organiques (k~2.5, les matériaux poreux sont des candidats potentiels pour remplacer l'oxyde de silicium pur dans les interconnections. Mais ces matériaux posent des problèmes lors de leur intégration à cause de leur fragilité mécanique et leur tendance à absorber l'humidité, d’où l'intérêt de chercher de nouveaux matériaux low-k qui vérifiés les exigences industriels qui reste toujours un domaine très ouvert pour la recherche.
Dans ce contexte, nous nous sommes intéressés à l'étude et l'élaboration de nouveaux matériaux low-k dans le cadre d'un axe de recherche nommé "Matériaux low-k".
Equipe : Matériaux « low-k »
Chef d’équipe NAAS Abdelkrim Grade : MC A
Depuis plus d'un siècle, l'industrie électronique reste surprenante, tant dans le domaine technique qu'économique. La microélectronique qui fait partie de cette industrie n'a aussi jamais cessé de répondre à l'exigence de la rapidité et de l'intégration des composants avec leur miniaturisation, tout en recherchant le maintien de leur fiabilité et la réduction des coûts de production. Ainsi petit à petit, notre quotidien s'est enrichi de nombreux dispositifs issus de l'industrie microélectronique, tel que les téléphones mobiles, les ordinateurs, les appareils photos numériques ou encore les agendas électroniques de poche (PALM).
Afin d'augmenter les performances des dispositifs microélectroniques, chaque nouvelle génération technologique s'est appliquée à réduire les dimensions des dispositifs actifs comme dictée par la loi de Moore, et par conséquent celles des interconnections reliant ces éléments.
La technologie low-k est l'une des axes qui trouve un grand intérêt dans ce domaine dont la partie dominante repose sur les matériaux à faible constante diélectrique.
La recherche de matériaux à faible constante diélectrique (low-k) ces dernières années a montré qu'en dehors des oxydes dopés (k>3) et des polymères organiques (k~2.5, les matériaux poreux sont des candidats potentiels pour remplacer l'oxyde de silicium pur dans les interconnections. Mais ces matériaux posent des problèmes lors de leur intégration à cause de leur fragilité mécanique et leur tendance à absorber l'humidité, d’où l'intérêt de chercher de nouveaux matériaux low-k qui vérifiés les exigences industriels qui reste toujours un domaine très ouvert pour la recherche.
Dans ce contexte, nous nous sommes intéressés à l'étude et l'élaboration de nouveaux matériaux low-k dans le cadre d'un axe de recherche nommé "Matériaux low-k".
Equipe : Matériaux « low-k »
Chef d’équipe NAAS Abdelkrim Grade : MC A
- NAAS Abdelkrim Chercheur permanent
- BENMAIDI Chahra Chercheur permanent
- BELHOUNI Abdeldjebbar Chercheur permanent
- BELADEL Brahim Chercheur permanent
- RAHOU Djamel Chercheur permanent
- GUETTOU Souad Doctorante
- BOUOUZZA Ghania Magistrante